IRFI640G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFI640G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 70(max) nC
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRFI640G
IRFI640G Datasheet (PDF)
irfi640gpbf.pdf
PD- 95420IRFI640GPbF Lead-Free06/16/04Document Number: 91150 www.vishay.com1IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com2IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com3IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com4IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com5IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com6IRFI640GPbFDocument Num
irfi640g sihfi640g.pdf
IRFI640G, SiHFI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 70COMPLIANT Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 13 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr
Другие MOSFET... IRFI620G , IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G , IRFI640A , IRF2807 , IRFI644A , IRFI644G , IRFI710A , IRFI720A , IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G , IRFI734G .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet