IRFI640G - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFI640G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFI640G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFI640G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI640G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1146K  international rectifier
 irfi640gpbf.pdf pdf_icon

IRFI640G

PD- 95420IRFI640GPbF Lead-Free06/16/04Document Number: 91150 www.vishay.com1IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com2IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com3IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com4IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com5IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com6IRFI640GPbFDocument Num

 ..2. Size:172K  international rectifier
 irfi640g.pdf pdf_icon

IRFI640G

 ..3. Size:1799K  vishay
 irfi640g sihfi640g.pdf pdf_icon

IRFI640G

IRFI640G, SiHFI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 70COMPLIANT Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 13 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr

 7.1. Size:212K  1
 irfi640a irfw640a.pdf pdf_icon

IRFI640G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI620G , IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G , IRFI640A , IRF2807 , IRFI644A , IRFI644G , IRFI710A , IRFI720A , IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G , IRFI734G .

History: APT5032CVR | FCA22N60N

 

 
Back to Top

 


 
.