IRFI640G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI640G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFI640G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI640G даташит

 ..1. Size:1146K  international rectifier
 irfi640gpbf.pdf pdf_icon

IRFI640G

PD- 95420 IRFI640GPbF Lead-Free 06/16/04 Document Number 91150 www.vishay.com 1 IRFI640GPbF Document Number 91150 www.vishay.com 2 IRFI640GPbF Document Number 91150 www.vishay.com 3 IRFI640GPbF Document Number 91150 www.vishay.com 4 IRFI640GPbF Document Number 91150 www.vishay.com 5 IRFI640GPbF Document Number 91150 www.vishay.com 6 IRFI640GPbF Document Num

 ..2. Size:172K  international rectifier
 irfi640g.pdf pdf_icon

IRFI640G

 ..3. Size:1799K  vishay
 irfi640g sihfi640g.pdf pdf_icon

IRFI640G

IRFI640G, SiHFI640G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.18 f = 60 Hz) RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 70 COMPLIANT Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 13 Low Thermal Resistance Qgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr

 7.1. Size:212K  1
 irfi640a irfw640a.pdf pdf_icon

IRFI640G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI620G, IRFI624A, IRFI624G, IRFI630A, IRFI630G, IRFI634A, IRFI634G, IRFI640A, STF13NM60N, IRFI644A, IRFI644G, IRFI710A, IRFI720A, IRFI720G, IRFI730A, IRFI730G, IRFI734G