IRFI644A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI644A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO262

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IRFI644A datasheet

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IRFI644A

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IRFI644A

PD - 94862 IRFI644GPbF Lead-Free Lead-Free 12/03/03 Document Number 91151 www.vishay.com 1 IRFI644GPbF Document Number 91151 www.vishay.com 2 IRFI644GPbF Document Number 91151 www.vishay.com 3 IRFI644GPbF Document Number 91151 www.vishay.com 4 IRFI644GPbF Document Number 91151 www.vishay.com 5 IRFI644GPbF Document Number 91151 www.vishay.com 6 IRFI644GP

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IRFI644A

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IRFI644A

IRFI644G, SiHFI644G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.28 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 68 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 35 Low Thermal Resistance Configuration Si

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