IRFI644A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI644A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFI644A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI644A даташит

 ..1. Size:216K  1
 irfi644a irfw644a.pdf pdf_icon

IRFI644A

 7.1. Size:1345K  international rectifier
 irfi644gpbf.pdf pdf_icon

IRFI644A

PD - 94862 IRFI644GPbF Lead-Free Lead-Free 12/03/03 Document Number 91151 www.vishay.com 1 IRFI644GPbF Document Number 91151 www.vishay.com 2 IRFI644GPbF Document Number 91151 www.vishay.com 3 IRFI644GPbF Document Number 91151 www.vishay.com 4 IRFI644GPbF Document Number 91151 www.vishay.com 5 IRFI644GPbF Document Number 91151 www.vishay.com 6 IRFI644GP

 7.2. Size:174K  international rectifier
 irfi644g.pdf pdf_icon

IRFI644A

 7.3. Size:1398K  vishay
 irfi644g sihfi644g.pdf pdf_icon

IRFI644A

IRFI644G, SiHFI644G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.28 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 68 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 35 Low Thermal Resistance Configuration Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI624A, IRFI624G, IRFI630A, IRFI630G, IRFI634A, IRFI634G, IRFI640A, IRFI640G, IRFZ24N, IRFI644G, IRFI710A, IRFI720A, IRFI720G, IRFI730A, IRFI730G, IRFI734G, IRFI740A