Справочник MOSFET. IRFI644A

 

IRFI644A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI644A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI644A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  1
 irfi644a irfw644a.pdf pdf_icon

IRFI644A

 7.1. Size:1345K  international rectifier
 irfi644gpbf.pdf pdf_icon

IRFI644A

PD - 94862IRFI644GPbF Lead-Free Lead-Free12/03/03Document Number: 91151 www.vishay.com1IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com2IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com3IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com4IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com5IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com6IRFI644GP

 7.2. Size:174K  international rectifier
 irfi644g.pdf pdf_icon

IRFI644A

 7.3. Size:1398K  vishay
 irfi644g sihfi644g.pdf pdf_icon

IRFI644A

IRFI644G, SiHFI644GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.28f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 68COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 35 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G , IRFI640A , IRFI640G , MMIS60R580P , IRFI644G , IRFI710A , IRFI720A , IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G , IRFI734G , IRFI740A .

History: IRF9Z24NSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.