IRFI644A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFI644A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO262
IRFI644A Datasheet (PDF)
irfi644gpbf.pdf
PD - 94862IRFI644GPbF Lead-Free Lead-Free12/03/03Document Number: 91151 www.vishay.com1IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com2IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com3IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com4IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com5IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com6IRFI644GP
irfi644g sihfi644g.pdf
IRFI644G, SiHFI644GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.28f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 68COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 35 Low Thermal ResistanceConfiguration Si
Другие MOSFET... IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G , IRFI640A , IRFI640G , 10N65 , IRFI644G , IRFI710A , IRFI720A , IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G , IRFI734G , IRFI740A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918