IRFI644G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFI644G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFI644G

IRFI644G Datasheet (PDF)

..1. Size:1345K international rectifier
irfi644gpbf.pdf

PD - 94862IRFI644GPbF Lead-Free Lead-Free12/03/03Document Number: 91151 www.vishay.com1IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com2IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com3IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com4IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com5IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com6IRFI644GP

..2. Size:174K international rectifier
irfi644g.pdf

..3. Size:1398K vishay
irfi644g sihfi644g.pdf

IRFI644G, SiHFI644GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.28f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 68COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 35 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

7.1. Size:216K 1
irfi644a irfw644a.pdf

8.1. Size:212K 1
irfi640a irfw640a.pdf

8.2. Size:1146K international rectifier
irfi640gpbf.pdf

PD- 95420IRFI640GPbF Lead-Free06/16/04Document Number: 91150 www.vishay.com1IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com2IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com3IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com4IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com5IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com6IRFI640GPbFDocument Num

8.3. Size:172K international rectifier
irfi640g.pdf

8.4. Size:1799K vishay
irfi640g sihfi640g.pdf

IRFI640G, SiHFI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 70COMPLIANT Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 13 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr

Otros transistores... IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G , IRFI640A , IRFI640G , IRFI644A , 8205A , IRFI710A , IRFI720A , IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G , IRFI734G , IRFI740A , IRFI740G .

Liste

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