Справочник MOSFET. IRFI644G

 

IRFI644G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFI644G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFI644G

 

 

IRFI644G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1345K  international rectifier
 irfi644gpbf.pdf

IRFI644G IRFI644G

PD - 94862IRFI644GPbF Lead-Free Lead-Free12/03/03Document Number: 91151 www.vishay.com1IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com2IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com3IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com4IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com5IRFI644GPbFDocument Number: 91151 www.vishay.com6IRFI644GP

 ..2. Size:174K  international rectifier
 irfi644g.pdf

IRFI644G IRFI644G

 ..3. Size:1398K  vishay
 irfi644g sihfi644g.pdf

IRFI644G IRFI644G

IRFI644G, SiHFI644GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.28f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 68COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 35 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

 7.1. Size:216K  1
 irfi644a irfw644a.pdf

IRFI644G IRFI644G

 8.1. Size:212K  1
 irfi640a irfw640a.pdf

IRFI644G IRFI644G

 8.2. Size:1146K  international rectifier
 irfi640gpbf.pdf

IRFI644G IRFI644G

PD- 95420IRFI640GPbF Lead-Free06/16/04Document Number: 91150 www.vishay.com1IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com2IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com3IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com4IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com5IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com6IRFI640GPbFDocument Num

 8.3. Size:172K  international rectifier
 irfi640g.pdf

IRFI644G IRFI644G

 8.4. Size:1799K  vishay
 irfi640g sihfi640g.pdf

IRFI644G IRFI644G

IRFI640G, SiHFI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 70COMPLIANT Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 13 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr

Другие MOSFET... IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G , IRFI640A , IRFI640G , IRFI644A , 8205A , IRFI710A , IRFI720A , IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G , IRFI734G , IRFI740A , IRFI740G .

 

 
Back to Top