IRFI720A Todos los transistores

 

IRFI720A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI720A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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IRFI720A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  1
 irfi720a irfw720a.pdf pdf_icon

IRFI720A

 7.1. Size:170K  international rectifier
 irfi720g.pdf pdf_icon

IRFI720A

 7.2. Size:666K  fairchild semi
 irfw720b irfi720b.pdf pdf_icon

IRFI720A

November 2001IRFW720B / IRFI720B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 400V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.3. Size:1499K  vishay
 irfi720g sihfi720g.pdf pdf_icon

IRFI720A

IRFI720G, SiHFI720GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 400 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 20 COMPLIANT Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 3.3 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 11 Lead (Pb)-fre

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History: TK7A55D | AP94T07GH-HF | HGB025N10A | AM4520H | PSMN3R5-80ES | SWK30N04V | CS630FA9H

 

 
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