IRFI720A MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFI720A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI720A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: TO262

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IRFI720A datasheet

..1. Size:116K 1
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7.1. Size:170K international rectifier
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7.2. Size:666K fairchild semi
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November 2001 IRFW720B / IRFI720B 400V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 400V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF) This advanced technology has been especially tailored to

7.3. Size:1499K vishay
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IRFI720G, SiHFI720G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 400 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 f = 60 Hz) RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 20 COMPLIANT Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.3 Low Thermal Resistance Qgd (nC) 11 Lead (Pb)-fre

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