IRFI720A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI720A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFI720A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI720A даташит

 ..1. Size:116K  1
 irfi720a irfw720a.pdf pdf_icon

IRFI720A

 7.1. Size:170K  international rectifier
 irfi720g.pdf pdf_icon

IRFI720A

 7.2. Size:666K  fairchild semi
 irfw720b irfi720b.pdf pdf_icon

IRFI720A

November 2001 IRFW720B / IRFI720B 400V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 400V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 7.3. Size:1499K  vishay
 irfi720g sihfi720g.pdf pdf_icon

IRFI720A

IRFI720G, SiHFI720G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 400 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 f = 60 Hz) RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 20 COMPLIANT Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.3 Low Thermal Resistance Qgd (nC) 11 Lead (Pb)-fre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI630G, IRFI634A, IRFI634G, IRFI640A, IRFI640G, IRFI644A, IRFI644G, IRFI710A, P60NF06, IRFI720G, IRFI730A, IRFI730G, IRFI734G, IRFI740A, IRFI740G, IRFI740GLC, IRFI744G