AP2904EC4 Todos los transistores

 

AP2904EC4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP2904EC4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5000 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: WLCSP

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AP2904EC4 datasheet

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AP2904EC4

AP2904EC4 Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive VSSS 24V Ultra-small Package Outline RSS(ON) 38m Protection Diode Built-in IS 6A RoHS Compliant & Halogen-Free Description AP2904 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

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AP2904EC4

AP2906EY Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET G2 Lower Gate Charge BVDSS 20V D1/D2 G1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 35m S2 Surface mount package ID3 4.7A D1/D2 S1 SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-Free D1/D2 Description AP2906 series are from Advanced Power innovated G1 G2 design and silicon process

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History: SMF16N65 | H5N60D | ASDM4614S | HM4444

 

 

 

 

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