AP2904EC4 Todos los transistores

 

AP2904EC4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2904EC4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5000 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP2904EC4 Datasheet (PDF)

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AP2904EC4

AP2904EC4Halogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive VSSS 24V Ultra-small Package Outline RSS(ON) 38m Protection Diode Built-in IS 6A RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP2904 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest po

 9.1. Size:174K  ape
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AP2904EC4

AP2906EYHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Lower Gate Charge BVDSS 20VD1/D2G1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 35mS2 Surface mount package ID3 4.7AD1/D2S1SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1/D2DescriptionAP2906 series are from Advanced Power innovatedG1 G2design and silicon process

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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