Справочник MOSFET. AP2904EC4

 

AP2904EC4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2904EC4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5000 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP
 

 Аналог (замена) для AP2904EC4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2904EC4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  ape
 ap2904ec4.pdf pdf_icon

AP2904EC4

AP2904EC4Halogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive VSSS 24V Ultra-small Package Outline RSS(ON) 38m Protection Diode Built-in IS 6A RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP2904 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest po

 9.1. Size:174K  ape
 ap2906ey.pdf pdf_icon

AP2904EC4

AP2906EYHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Lower Gate Charge BVDSS 20VD1/D2G1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 35mS2 Surface mount package ID3 4.7AD1/D2S1SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1/D2DescriptionAP2906 series are from Advanced Power innovatedG1 G2design and silicon process

Другие MOSFET... AP3990S , AP3700Y , AP30T10GS , AP30T10GI , AP30T10GH , AP30P10GH , AP2N050H , AP2910EC4 , P0903BDG , AP25N170I , AP20WN170P , AP20WN170J , AP20WN170I , AP20WN170H , AP20T15GI , AP1A003P , AP18P10AGJ .

History: SI2392ADS | VST007N07MS | HSU150N03 | IRFS732 | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.