AP2904EC4 - описание и поиск аналогов

 

AP2904EC4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2904EC4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5000 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: WLCSP

Аналог (замена) для AP2904EC4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2904EC4 даташит

 ..1. Size:91K  ape
 ap2904ec4.pdf pdf_icon

AP2904EC4

AP2904EC4 Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive VSSS 24V Ultra-small Package Outline RSS(ON) 38m Protection Diode Built-in IS 6A RoHS Compliant & Halogen-Free Description AP2904 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

 9.1. Size:174K  ape
 ap2906ey.pdf pdf_icon

AP2904EC4

AP2906EY Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET G2 Lower Gate Charge BVDSS 20V D1/D2 G1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 35m S2 Surface mount package ID3 4.7A D1/D2 S1 SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-Free D1/D2 Description AP2906 series are from Advanced Power innovated G1 G2 design and silicon process

Другие MOSFET... AP3990S , AP3700Y , AP30T10GS , AP30T10GI , AP30T10GH , AP30P10GH , AP2N050H , AP2910EC4 , IRF1407 , AP25N170I , AP20WN170P , AP20WN170J , AP20WN170I , AP20WN170H , AP20T15GI , AP1A003P , AP18P10AGJ .

History: GC11N70K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.