AP16T10GH Todos los transistores

 

AP16T10GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP16T10GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AP16T10GH Datasheet (PDF)

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AP16T10GH

AP16T10GHHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 185m Surface Mount Package ID 7.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP16T10 series are from Advanced Power innovated design

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History: IRFB4215PBF | VBL1101M | IFR623 | LNC06R230

 

 
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