Справочник MOSFET. AP16T10GH

 

AP16T10GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP16T10GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP16T10GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP16T10GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  ape
 ap16t10gh.pdf pdf_icon

AP16T10GH

AP16T10GHHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 185m Surface Mount Package ID 7.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP16T10 series are from Advanced Power innovated design

Другие MOSFET... AP20WN170P , AP20WN170J , AP20WN170I , AP20WN170H , AP20T15GI , AP1A003P , AP18P10AGJ , AP18P10AGH , IRFB31N20D , AP15T15GH , AP15P10GI , AP14SL50W , AP14SL50I , AP14SL50H , AP13N50R , AP10TN9R0P , AP10TN6R0P .

History: SPB04N60S5 | PJW1NA80

 

 
Back to Top

 


 
.