AP16T10GH - описание и поиск аналогов

 

AP16T10GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP16T10GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP16T10GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP16T10GH даташит

 ..1. Size:196K  ape
 ap16t10gh.pdf pdf_icon

AP16T10GH

AP16T10GH Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 185m Surface Mount Package ID 7.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP16T10 series are from Advanced Power innovated design

Другие MOSFET... AP20WN170P , AP20WN170J , AP20WN170I , AP20WN170H , AP20T15GI , AP1A003P , AP18P10AGJ , AP18P10AGH , IRF2807 , AP15T15GH , AP15P10GI , AP14SL50W , AP14SL50I , AP14SL50H , AP13N50R , AP10TN9R0P , AP10TN6R0P .

History: AOTF3N100 | CRST040N10N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.