IRFI734G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI734G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI734G datasheet

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IRFI734G

PD- 95752 IRFI734GPbF Lead-Free 8/23/04 Document Number 91154 www.vishay.com 1 IRFI734GPbF Document Number 91154 www.vishay.com 2 IRFI734GPbF Document Number 91154 www.vishay.com 3 IRFI734GPbF Document Number 91154 www.vishay.com 4 IRFI734GPbF Document Number 91154 www.vishay.com 5 IRFI734GPbF Document Number 91154 www.vishay.com 6 IRFI734GPbF Peak Diode Re

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IRFI734G

IRFI734G, SiHFI734G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 450 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 45 Dynamic dV/dt Qgs (nC) 6.6 Low Thermal Resistance Qgd (nC) 24 Lead (Pb)-free Configuration Single DESCRIPTION D

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IRFI734G

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