IRFI734G Todos los transistores

 

IRFI734G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI734G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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IRFI734G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  international rectifier
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PD- 95752IRFI734GPbF Lead-Free8/23/04Document Number: 91154 www.vishay.com1IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com2IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com3IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com4IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com5IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com6IRFI734GPbFPeak Diode Re

 ..2. Size:241K  international rectifier
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 ..3. Size:846K  vishay
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IRFI734G, SiHFI734GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 450 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQg (Max.) (nC) 45 Dynamic dV/dtQgs (nC) 6.6 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 24 Lead (Pb)-free Configuration SingleDESCRIPTIOND

 8.1. Size:117K  1
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 8.2. Size:917K  international rectifier
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PD - 94987IRFI730GPbF Lead-Free2/9/04Document Number: 91153 www.vishay.com1IRFI730GPbFDocument Number: 91153 www.vishay.com2IRFI730GPbFDocument Number: 91153 www.vishay.com3IRFI730GPbFDocument Number: 91153 www.vishay.com4IRFI730GPbFDocument Number: 91153 www.vishay.com5IRFI730GPbFDocument Number: 91153 www.vishay.com6IRFI730GPbFTO-220 Full-P

 8.3. Size:1544K  vishay
irfi730g sihfi730g.pdf

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IRFI730G, SiHFI730GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 400 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 5.7 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free

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