IRFI734G Todos los transistores

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IRFI734G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI734G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 450 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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IRFI734G Datasheet (PDF)

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PD - 94987 IRFI730GPbF Lead-Free 2/9/04 Document Number: 91153 www.vishay.com 1 IRFI730GPbF Document Number: 91153 www.vishay.com 2 IRFI730GPbF Document Number: 91153 www.vishay.com 3 IRFI730GPbF Document Number: 91153 www.vishay.com 4 IRFI730GPbF Document Number: 91153 www.vishay.com 5 IRFI730GPbF Document Number: 91153 www.vishay.com 6 IRFI730GPbF TO-220 Full-Pak Pa

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IRFI730G, SiHFI730G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 400 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) (?)VGS = 10 V 1.0 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qgs (nC) 5.7 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free Available Conf

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