Справочник MOSFET. IRFI734G

 

IRFI734G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI734G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI734G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  international rectifier
 irfi734gpbf.pdf pdf_icon

IRFI734G

PD- 95752IRFI734GPbF Lead-Free8/23/04Document Number: 91154 www.vishay.com1IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com2IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com3IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com4IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com5IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com6IRFI734GPbFPeak Diode Re

 ..2. Size:241K  international rectifier
 irfi734g.pdf pdf_icon

IRFI734G

 ..3. Size:846K  vishay
 irfi734gpbf.pdf pdf_icon

IRFI734G

IRFI734G, SiHFI734GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 450 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQg (Max.) (nC) 45 Dynamic dV/dtQgs (nC) 6.6 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 24 Lead (Pb)-free Configuration SingleDESCRIPTIOND

 8.1. Size:117K  1
 irfi730a irfw730a.pdf pdf_icon

IRFI734G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI640G , IRFI644A , IRFI644G , IRFI710A , IRFI720A , IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G , STP65NF06 , IRFI740A , IRFI740G , IRFI740GLC , IRFI744G , IRFI820A , IRFI820G , IRFI830A , IRFI830G .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.