IRFI734G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI734G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFI734G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI734G даташит

 ..1. Size:258K  international rectifier
 irfi734gpbf.pdf pdf_icon

IRFI734G

PD- 95752 IRFI734GPbF Lead-Free 8/23/04 Document Number 91154 www.vishay.com 1 IRFI734GPbF Document Number 91154 www.vishay.com 2 IRFI734GPbF Document Number 91154 www.vishay.com 3 IRFI734GPbF Document Number 91154 www.vishay.com 4 IRFI734GPbF Document Number 91154 www.vishay.com 5 IRFI734GPbF Document Number 91154 www.vishay.com 6 IRFI734GPbF Peak Diode Re

 ..2. Size:241K  international rectifier
 irfi734g.pdf pdf_icon

IRFI734G

 ..3. Size:846K  vishay
 irfi734gpbf.pdf pdf_icon

IRFI734G

IRFI734G, SiHFI734G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 450 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 45 Dynamic dV/dt Qgs (nC) 6.6 Low Thermal Resistance Qgd (nC) 24 Lead (Pb)-free Configuration Single DESCRIPTION D

 8.1. Size:117K  1
 irfi730a irfw730a.pdf pdf_icon

IRFI734G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI640G, IRFI644A, IRFI644G, IRFI710A, IRFI720A, IRFI720G, IRFI730A, IRFI730G, STP65NF06, IRFI740A, IRFI740G, IRFI740GLC, IRFI744G, IRFI820A, IRFI820G, IRFI830A, IRFI830G