AP10C325Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP10C325Y  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.325 Ohm

Encapsulados: 2928-8

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AP10C325Y datasheet

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AP10C325Y

AP10C325Y Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 HBM ESD 2kV RDS(ON) 325m D1 D1 G2 Fast Switching Performance ID4 2A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 2928-8 RDS(ON) 470m Description ID4 -1.5A AP10C325 series are from Advanced P

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AP10C325Y

AP10C150M Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150m D1 Fast Switching Performance ID 2.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 160m Description ID -2.5A AP10C150 series are from Advanced

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