AP10C325Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP10C325Y  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm

Тип корпуса: 2928-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP10C325Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10C325Y даташит

 ..1. Size:211K  ape
 ap10c325y.pdf pdf_icon

AP10C325Y

AP10C325Y Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 HBM ESD 2kV RDS(ON) 325m D1 D1 G2 Fast Switching Performance ID4 2A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 2928-8 RDS(ON) 470m Description ID4 -1.5A AP10C325 series are from Advanced P

 9.1. Size:256K  ape
 ap10c150m.pdf pdf_icon

AP10C325Y

AP10C150M Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150m D1 Fast Switching Performance ID 2.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 160m Description ID -2.5A AP10C150 series are from Advanced

Другие IGBT... AP10N6R0S, AP10N4R5S, AP10N4R5P, AP10N4R5I, AP10N012P, AP10N012IN, AP10N012I, AP10N012H, 20N60, AP09T10GH, AP09N20BGH, AP0603GH, AP05N50EJ, AP05N50EH, AP05N20GJ, AP05N20GI, AP05N20GH