Справочник MOSFET. AP10C325Y

 

AP10C325Y MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP10C325Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm
   Тип корпуса: 2928-8

 Аналог (замена) для AP10C325Y

 

 

AP10C325Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  ape
 ap10c325y.pdf

AP10C325Y AP10C325Y

AP10C325YHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 HBM ESD 2kV RDS(ON) 325mD1D1G2 Fast Switching Performance ID4 2AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S12928-8RDS(ON) 470mDescription ID4 -1.5AAP10C325 series are from Advanced P

 9.1. Size:256K  ape
 ap10c150m.pdf

AP10C325Y AP10C325Y

AP10C150MHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150mD1 Fast Switching Performance ID 2.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S1SO-8RDS(ON) 160mDescription ID -2.5AAP10C150 series are from Advanced

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top