Справочник MOSFET. AP10C325Y

 

AP10C325Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10C325Y
   Маркировка: YY9YSS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm
   Тип корпуса: 2928-8
 

 Аналог (замена) для AP10C325Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10C325Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  ape
 ap10c325y.pdf pdf_icon

AP10C325Y

AP10C325YHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 HBM ESD 2kV RDS(ON) 325mD1D1G2 Fast Switching Performance ID4 2AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S12928-8RDS(ON) 470mDescription ID4 -1.5AAP10C325 series are from Advanced P

 9.1. Size:256K  ape
 ap10c150m.pdf pdf_icon

AP10C325Y

AP10C150MHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150mD1 Fast Switching Performance ID 2.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S1SO-8RDS(ON) 160mDescription ID -2.5AAP10C150 series are from Advanced

Другие MOSFET... AP10N6R0S , AP10N4R5S , AP10N4R5P , AP10N4R5I , AP10N012P , AP10N012IN , AP10N012I , AP10N012H , 20N60 , AP09T10GH , AP09N20BGH , AP0603GH , AP05N50EJ , AP05N50EH , AP05N20GJ , AP05N20GI , AP05N20GH .

 

 
Back to Top

 


 
.