AP05FN50I-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP05FN50I-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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AP05FN50I-HF Datasheet (PDF)
ap05fn50i-hf.pdf
AP05FN50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast trr Performance D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.8 Simple Drive Requirement ID 4.4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP05FN50 series are specially designed as main switching devicesGfor universal 90~265VAC off-line AC/D
ap05fn50i.pdf
AP05FN50IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast trr Performance D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.6 Simple Drive Requirement ID 4.5AGSDescriptionAP05FN50 provide high blocking voltage to overcome voltage surgeGand sag in the toughest power system with the best combination of fast D
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Liste
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