AP05FN50I-HF Todos los transistores

 

AP05FN50I-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP05FN50I-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP05FN50I-HF

 

Principales características: AP05FN50I-HF

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AP05FN50I-HF

AP05FN50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast trr Performance D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.8 Simple Drive Requirement ID 4.4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP05FN50 series are specially designed as main switching devices G for universal 90 265VAC off-line AC/D

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AP05FN50I-HF

AP05FN50I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast trr Performance D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.6 Simple Drive Requirement ID 4.5A G S Description AP05FN50 provide high blocking voltage to overcome voltage surge G and sag in the toughest power system with the best combination of fast D

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History: AP04N60J-HF

 

 
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