AP05FN50I-HF Todos los transistores

 

AP05FN50I-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP05FN50I-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP05FN50I-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  ape
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AP05FN50I-HF

AP05FN50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast trr Performance D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.8 Simple Drive Requirement ID 4.4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP05FN50 series are specially designed as main switching devicesGfor universal 90~265VAC off-line AC/D

 5.1. Size:132K  ape
 ap05fn50i.pdf pdf_icon

AP05FN50I-HF

AP05FN50IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast trr Performance D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.6 Simple Drive Requirement ID 4.5AGSDescriptionAP05FN50 provide high blocking voltage to overcome voltage surgeGand sag in the toughest power system with the best combination of fast D

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History: IRLR3715 | FMC20N50E

 

 
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