AP05FN50I-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP05FN50I-HF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP05FN50I-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP05FN50I-HF даташит

 ..1. Size:55K  ape
 ap05fn50i-hf.pdf pdf_icon

AP05FN50I-HF

AP05FN50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast trr Performance D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.8 Simple Drive Requirement ID 4.4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP05FN50 series are specially designed as main switching devices G for universal 90 265VAC off-line AC/D

 5.1. Size:132K  ape
 ap05fn50i.pdf pdf_icon

AP05FN50I-HF

AP05FN50I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast trr Performance D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.6 Simple Drive Requirement ID 4.5A G S Description AP05FN50 provide high blocking voltage to overcome voltage surge G and sag in the toughest power system with the best combination of fast D

Другие IGBT... AP03N70I-H-HF, AP03N70J-H-HF, AP0403GH, AP04N60I-HF, AP04N60J-HF, AP04N70BI-A-HF, AP04N70BI-HF, AP05FN50I, SKD502T, AP05N50I-HF, AP0803GMT-A-HF, AP0904GP-HF, AP09N20BGS-HF, AP09N70P-A-HF, AP09N70P-H-LF, AP1003BST, AP1004CMX