AP1003BST Todos los transistores

 

AP1003BST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP1003BST
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIP
 

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AP1003BST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  ape
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AP1003BST

AP1003BSTPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 4.7m Low Profile (

 9.1. Size:132K  ape
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AP1003BST

AP1005BSQHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 3.8m Low Profile (

 9.2. Size:104K  ape
 ap1001bsq.pdf pdf_icon

AP1003BST

AP1001BSQHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 6m Low Profile (

 9.3. Size:99K  ape
 ap1002bmx.pdf pdf_icon

AP1003BST

AP1002BMXHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (

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History: GSM2913W | GSM3346W | APM9934K

 

 
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