Справочник MOSFET. AP1003BST

 

AP1003BST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP1003BST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: CHIP
 

 Аналог (замена) для AP1003BST

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1003BST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  ape
 ap1003bst.pdf pdf_icon

AP1003BST

AP1003BSTPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 4.7m Low Profile (

 9.1. Size:132K  ape
 ap1005bsq.pdf pdf_icon

AP1003BST

AP1005BSQHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 3.8m Low Profile (

 9.2. Size:104K  ape
 ap1001bsq.pdf pdf_icon

AP1003BST

AP1001BSQHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 6m Low Profile (

 9.3. Size:99K  ape
 ap1002bmx.pdf pdf_icon

AP1003BST

AP1002BMXHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP05FN50I , AP05FN50I-HF , AP05N50I-HF , AP0803GMT-A-HF , AP0904GP-HF , AP09N20BGS-HF , AP09N70P-A-HF , AP09N70P-H-LF , AON7506 , AP1004CMX , AP1005BSQ , AP10N70I-A , AP10P10GK-HF , AP11N50I-HF , AP1203GH , AP1203GM , AP1333GU-HF .

History: KDB3672 | SIHG33N60EF | AP0803GMT-A-HF

 

 
Back to Top

 


 
.