IRFI820A Todos los transistores

 

IRFI820A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI820A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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IRFI820A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  1
 irfi820a irfw820a.pdf pdf_icon

IRFI820A

 7.1. Size:1025K  international rectifier
 irfi820gpbf.pdf pdf_icon

IRFI820A

PD- 95522IRFI820GPbF Lead-Free07/08/04Document Number: 91158 www.vishay.com1IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com2IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com3IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com4IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com5IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com6IRFI820GPbFPeak Diode R

 7.2. Size:168K  international rectifier
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IRFI820A

 7.3. Size:1793K  vishay
 irfi820g sihfi820g.pdf pdf_icon

IRFI820A

IRFI820G, SiHFI820GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 13 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

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History: FDS4935BZ | BUZ907P

 

 
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