IRFI820A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI820A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO262

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IRFI820A datasheet

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IRFI820A

 7.1. Size:1025K  international rectifier
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IRFI820A

PD- 95522 IRFI820GPbF Lead-Free 07/08/04 Document Number 91158 www.vishay.com 1 IRFI820GPbF Document Number 91158 www.vishay.com 2 IRFI820GPbF Document Number 91158 www.vishay.com 3 IRFI820GPbF Document Number 91158 www.vishay.com 4 IRFI820GPbF Document Number 91158 www.vishay.com 5 IRFI820GPbF Document Number 91158 www.vishay.com 6 IRFI820GPbF Peak Diode R

 7.2. Size:168K  international rectifier
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IRFI820A

 7.3. Size:1793K  vishay
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IRFI820A

IRFI820G, SiHFI820G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 500 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 3.3 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 13 Low Thermal Resistance Configuration Si

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