Справочник MOSFET. IRFI820A

 

IRFI820A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI820A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI820A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  1
 irfi820a irfw820a.pdf pdf_icon

IRFI820A

 7.1. Size:1025K  international rectifier
 irfi820gpbf.pdf pdf_icon

IRFI820A

PD- 95522IRFI820GPbF Lead-Free07/08/04Document Number: 91158 www.vishay.com1IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com2IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com3IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com4IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com5IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com6IRFI820GPbFPeak Diode R

 7.2. Size:168K  international rectifier
 irfi820g.pdf pdf_icon

IRFI820A

 7.3. Size:1793K  vishay
 irfi820g sihfi820g.pdf pdf_icon

IRFI820A

IRFI820G, SiHFI820GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 13 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G , IRFI734G , IRFI740A , IRFI740G , IRFI740GLC , IRFI744G , IRFZ48N , IRFI820G , IRFI830A , IRFI830G , IRFI840A , IRFI840G , IRFI840GLC , IRFI9520N , IRFI9530G .

History: G1825 | 2SK3458-S | 2SK3572-Z | SM4504NHKP | ELM17412GA | DMN2014LHAB | SIHF9530S

 

 
Back to Top

 


 
.