IRFI820A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI820A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFI820A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI820A даташит

 ..1. Size:216K  1
 irfi820a irfw820a.pdf pdf_icon

IRFI820A

 7.1. Size:1025K  international rectifier
 irfi820gpbf.pdf pdf_icon

IRFI820A

PD- 95522 IRFI820GPbF Lead-Free 07/08/04 Document Number 91158 www.vishay.com 1 IRFI820GPbF Document Number 91158 www.vishay.com 2 IRFI820GPbF Document Number 91158 www.vishay.com 3 IRFI820GPbF Document Number 91158 www.vishay.com 4 IRFI820GPbF Document Number 91158 www.vishay.com 5 IRFI820GPbF Document Number 91158 www.vishay.com 6 IRFI820GPbF Peak Diode R

 7.2. Size:168K  international rectifier
 irfi820g.pdf pdf_icon

IRFI820A

 7.3. Size:1793K  vishay
 irfi820g sihfi820g.pdf pdf_icon

IRFI820A

IRFI820G, SiHFI820G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 500 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 3.3 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 13 Low Thermal Resistance Configuration Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI720G, IRFI730A, IRFI730G, IRFI734G, IRFI740A, IRFI740G, IRFI740GLC, IRFI744G, IRF830, IRFI820G, IRFI830A, IRFI830G, IRFI840A, IRFI840G, IRFI840GLC, IRFI9520N, IRFI9530G