AP11N50I-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP11N50I-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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AP11N50I-HF Datasheet (PDF)

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ap11n50i-hf.pdf

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6.1. Size:93K ape
ap11n50i.pdf

AP11N50IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.62 Fast Switching Characteristic ID 11AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowGon-resistan

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Liste

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