AP11N50I-HF Todos los transistores

 

AP11N50I-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP11N50I-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm

Encapsulados: TO220F

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AP11N50I-HF datasheet

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AP11N50I-HF

AP11N50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.68 Fast Switching Characteristic ID 11A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedize

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AP11N50I-HF

AP11N50I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.62 Fast Switching Characteristic ID 11A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low G on-resistan

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History: IXFB82N60Q3 | WMLL017N10HGS | IXFA102N15T | MDP18N50TH | LSC65R280HT | TK560A60Y

 

 

 

 

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