AP11N50I-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP11N50I-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP11N50I-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP11N50I-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP11N50I-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  ape
 ap11n50i-hf.pdf pdf_icon

AP11N50I-HF

AP11N50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.68 Fast Switching Characteristic ID 11AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedize

 6.1. Size:93K  ape
 ap11n50i.pdf pdf_icon

AP11N50I-HF

AP11N50IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.62 Fast Switching Characteristic ID 11AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowGon-resistan

Другие MOSFET... AP09N20BGS-HF , AP09N70P-A-HF , AP09N70P-H-LF , AP1003BST , AP1004CMX , AP1005BSQ , AP10N70I-A , AP10P10GK-HF , IRFP250 , AP1203GH , AP1203GM , AP1333GU-HF , AP13N50W-HF , AP13P15GP , AP13P15GS , AP15N03GI , AP15N03GJ .

History: FDBL86366-F085 | AP1333GU-HF | IRFR310P | IRFR3708TR | NTD4857N-1G | WMS175N10LG4 | 2SK1503

 

 
Back to Top

 


 
.