AP11N50I-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP11N50I-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP11N50I-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP11N50I-HF даташит

 ..1. Size:91K  ape
 ap11n50i-hf.pdf pdf_icon

AP11N50I-HF

AP11N50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.68 Fast Switching Characteristic ID 11A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedize

 6.1. Size:93K  ape
 ap11n50i.pdf pdf_icon

AP11N50I-HF

AP11N50I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.62 Fast Switching Characteristic ID 11A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low G on-resistan

Другие IGBT... AP09N20BGS-HF, AP09N70P-A-HF, AP09N70P-H-LF, AP1003BST, AP1004CMX, AP1005BSQ, AP10N70I-A, AP10P10GK-HF, AON7506, AP1203GH, AP1203GM, AP1333GU-HF, AP13N50W-HF, AP13P15GP, AP13P15GS, AP15N03GI, AP15N03GJ