Справочник MOSFET. AP11N50I-HF

 

AP11N50I-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP11N50I-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для AP11N50I-HF

 

 

AP11N50I-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  ape
 ap11n50i-hf.pdf

AP11N50I-HF AP11N50I-HF

AP11N50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.68 Fast Switching Characteristic ID 11AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedize

 6.1. Size:93K  ape
 ap11n50i.pdf

AP11N50I-HF AP11N50I-HF

AP11N50IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.62 Fast Switching Characteristic ID 11AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowGon-resistan

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top