AP13P15GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP13P15GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP13P15GP

AP13P15GP Datasheet (PDF)

..1. Size:72K ape
ap13p15gp ap13p15gs.pdf

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6.1. Size:62K ape
ap13p15gs p-hf.pdf

AP13P15GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS -150V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 300m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -13AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGbest combination of fast switching, ruggedized device design

6.2. Size:100K ape
ap13p15gj-hf.pdf

AP13P15GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -150V Simple Drive Requirement RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID -13AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialGDsurface mount application

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Liste

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