AP13P15GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP13P15GP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP13P15GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP13P15GP даташит

 ..1. Size:72K  ape
 ap13p15gp ap13p15gs.pdf pdf_icon

AP13P15GP

AP13P15GS/P Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -150V Simple Drive Requirement RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID -13A G RoHS Compliant S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D

 6.1. Size:62K  ape
 ap13p15gs p-hf.pdf pdf_icon

AP13P15GP

AP13P15GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS -150V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 300m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -13A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G best combination of fast switching, ruggedized device design

 6.2. Size:100K  ape
 ap13p15gj-hf.pdf pdf_icon

AP13P15GP

AP13P15GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -150V Simple Drive Requirement RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID -13A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial G D surface mount application

 9.1. Size:1589K  cn apm
 ap13p06d.pdf pdf_icon

AP13P15GP

AP13P06D -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP13P06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-13.5A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP1005BSQ, AP10N70I-A, AP10P10GK-HF, AP11N50I-HF, AP1203GH, AP1203GM, AP1333GU-HF, AP13N50W-HF, BS170, AP13P15GS, AP15N03GI, AP15N03GJ, AP15P10GP-HF, AP15P10GS-HF, AP15T03GJ, AP15T25H-HF, AP16N50P-HF