IRFI830A Todos los transistores

 

IRFI830A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI830A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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IRFI830A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  1
 irfi830a irfw830a.pdf pdf_icon

IRFI830A

 7.1. Size:170K  international rectifier
 irfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830A

 7.2. Size:1541K  vishay
 irfi830gpbf sihfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830A

IRFI830G, SiHFI830GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 1.5f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free

 7.3. Size:1540K  vishay
 irfi830g sihfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830A

IRFI830G, SiHFI830GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 1.5f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free

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History: HCD80R1K4 | SVSP20N60SD2TR | FDW2601NZ | WMB048NV6LG4 | UT70P03 | FQD20N06LE | TPM2077

 

 
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