IRFI830A - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFI830A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFI830A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRFI830A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI830A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  1
 irfi830a irfw830a.pdf pdf_icon

IRFI830A

 7.1. Size:170K  international rectifier
 irfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830A

 7.2. Size:1541K  vishay
 irfi830gpbf sihfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830A

IRFI830G, SiHFI830GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 1.5f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free

 7.3. Size:1540K  vishay
 irfi830g sihfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830A

IRFI830G, SiHFI830GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 1.5f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI730G , IRFI734G , IRFI740A , IRFI740G , IRFI740GLC , IRFI744G , IRFI820A , IRFI820G , MMD60R360PRH , IRFI830G , IRFI840A , IRFI840G , IRFI840GLC , IRFI9520N , IRFI9530G , IRFI9540N , IRFI9620G .

History: AP4526AGH-HF | MX2N5114 | SFU9034 | OSG65R260FSF_NB | AP4527GN3 | SFU9220 | WMB037N10HGS

 

 
Back to Top

 


 
.