IRFI830A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI830A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFI830A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI830A даташит

 ..1. Size:213K  1
 irfi830a irfw830a.pdf pdf_icon

IRFI830A

 7.1. Size:170K  international rectifier
 irfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830A

 7.2. Size:1541K  vishay
 irfi830gpbf sihfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830A

IRFI830G, SiHFI830G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 500 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 5.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free

 7.3. Size:1540K  vishay
 irfi830g sihfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830A

IRFI830G, SiHFI830G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 500 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 5.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI730G, IRFI734G, IRFI740A, IRFI740G, IRFI740GLC, IRFI744G, IRFI820A, IRFI820G, IRF9640, IRFI830G, IRFI840A, IRFI840G, IRFI840GLC, IRFI9520N, IRFI9530G, IRFI9540N, IRFI9620G