AP20P02GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP20P02GH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 31.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.5 V
Carga de la puerta (Qg): 13.5 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 410 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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AP20P02GH Datasheet (PDF)
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AP20P02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement D BVDSS -20V 2.5V Gate Drive Capability RDS(ON) 52mFast Switching ID -18A GSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast sw
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