AP20P02GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP20P02GH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de AP20P02GH MOSFET
AP20P02GH Datasheet (PDF)
ap20p02gh ap20p02gj.pdf
AP20P02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement D BVDSS -20V 2.5V Gate Drive Capability RDS(ON) 52mFast Switching ID -18A GSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast sw
Otros transistores... AP6679GP-HF , AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF , AP6680AGM-HF , AP6680GM , AP6681GMT-HF , AP20N15AGI-HF , 8N60 , AP20P02GJ , AP20T15GM-HF , AP2301AGN , AP2301EN-HF , AP2301GN , AP2302GN , AP2302N-HF , AP2303GN .
History: 2SK3510-S | FQU4N20TU | 2SK3402 | IPD70N10S3-12 | FQU5N60CTU | BLS65R380-D | AOSX21319C
History: 2SK3510-S | FQU4N20TU | 2SK3402 | IPD70N10S3-12 | FQU5N60CTU | BLS65R380-D | AOSX21319C
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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