Справочник MOSFET. AP20P02GH

 

AP20P02GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP20P02GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP20P02GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP20P02GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  ape
ap20p02gh ap20p02gj.pdfpdf_icon

AP20P02GH

AP20P02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement D BVDSS -20V 2.5V Gate Drive Capability RDS(ON) 52mFast Switching ID -18A GSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast sw

 9.1. Size:1435K  1
ap20p30q.pdfpdf_icon

AP20P02GH

Другие MOSFET... AP6679GP-HF , AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF , AP6680AGM-HF , AP6680GM , AP6681GMT-HF , AP20N15AGI-HF , 8N60 , AP20P02GJ , AP20T15GM-HF , AP2301AGN , AP2301EN-HF , AP2301GN , AP2302GN , AP2302N-HF , AP2303GN .

History: NVMFS6H824N | 2SK1444 | AO8801A

 

 
Back to Top

 


 
.