AP20P02GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP20P02GJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de AP20P02GJ MOSFET
AP20P02GJ Datasheet (PDF)
ap20p02gh ap20p02gj.pdf
AP20P02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement D BVDSS -20V 2.5V Gate Drive Capability RDS(ON) 52mFast Switching ID -18A GSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast sw
Otros transistores... AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF , AP6680AGM-HF , AP6680GM , AP6681GMT-HF , AP20N15AGI-HF , AP20P02GH , EMB04N03H , AP20T15GM-HF , AP2301AGN , AP2301EN-HF , AP2301GN , AP2302GN , AP2302N-HF , AP2303GN , AP2305AGN .
History: SM2621PSC | OSG60R099KT3F | P2703BAG | AP2762I-A-HF | IXFN40N110P | SIHF9Z34L | RQ3E070BN
History: SM2621PSC | OSG60R099KT3F | P2703BAG | AP2762I-A-HF | IXFN40N110P | SIHF9Z34L | RQ3E070BN
Liste
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