Справочник MOSFET. AP20P02GJ

 

AP20P02GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP20P02GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP20P02GJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP20P02GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  ape
 ap20p02gh ap20p02gj.pdf pdf_icon

AP20P02GJ

AP20P02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement D BVDSS -20V 2.5V Gate Drive Capability RDS(ON) 52mFast Switching ID -18A GSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast sw

 9.1. Size:1435K  1
 ap20p30q.pdf pdf_icon

AP20P02GJ

Другие MOSFET... AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF , AP6680AGM-HF , AP6680GM , AP6681GMT-HF , AP20N15AGI-HF , AP20P02GH , EMB04N03H , AP20T15GM-HF , AP2301AGN , AP2301EN-HF , AP2301GN , AP2302GN , AP2302N-HF , AP2303GN , AP2305AGN .

History: FC8V36060L | RJK0456DPB | BUK9610-100B

 

 
Back to Top

 


 
.