AP25T03GJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP25T03GJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Encapsulados: TO251
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AP25T03GJ datasheet
ap25t03gj.pdf
AP25T03GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 20A G S Description G The TO-252 package is universally preferred for all commercial- D S TO-252(H) industrial
Otros transistores... AP2322GN-HF , AP2325GEU6-HF , AP2333EN-HF , AP2336GN-HF , AP2340GN-HF , AP2346GN-HF , AP2451GY , AP2531GY-HF , IRLZ44N , AP2602GY-HF , AP2603GY , AP2605GY-HF , AP2611GY-HF , AP2623GY-HF , AP2625GY-HF , AP2732GK-HF , AP2761I-A-HF .
History: AP3N3R3M | SPC18N50G
🌐 : EN ES РУ
Liste
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