AP25T03GJ - описание и поиск аналогов

 

AP25T03GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP25T03GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP25T03GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP25T03GJ даташит

 ..1. Size:70K  ape
 ap25t03gj.pdf pdf_icon

AP25T03GJ

AP25T03GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 20A G S Description G The TO-252 package is universally preferred for all commercial- D S TO-252(H) industrial

Другие MOSFET... AP2322GN-HF , AP2325GEU6-HF , AP2333EN-HF , AP2336GN-HF , AP2340GN-HF , AP2346GN-HF , AP2451GY , AP2531GY-HF , IRLZ44N , AP2602GY-HF , AP2603GY , AP2605GY-HF , AP2611GY-HF , AP2623GY-HF , AP2625GY-HF , AP2732GK-HF , AP2761I-A-HF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.