AP25T03GJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP25T03GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP25T03GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP25T03GJ даташит

 ..1. Size:70K  ape
 ap25t03gj.pdf pdf_icon

AP25T03GJ

AP25T03GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 20A G S Description G The TO-252 package is universally preferred for all commercial- D S TO-252(H) industrial

Другие IGBT... AP2322GN-HF, AP2325GEU6-HF, AP2333EN-HF, AP2336GN-HF, AP2340GN-HF, AP2346GN-HF, AP2451GY, AP2531GY-HF, IRLZ44N, AP2602GY-HF, AP2603GY, AP2605GY-HF, AP2611GY-HF, AP2623GY-HF, AP2625GY-HF, AP2732GK-HF, AP2761I-A-HF