Справочник MOSFET. AP25T03GJ

 

AP25T03GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP25T03GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP25T03GJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP25T03GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  ape
 ap25t03gj.pdf pdf_icon

AP25T03GJ

AP25T03GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLower Gate Charge BVDSS 30V DSimple Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 20A GSDescriptionGThe TO-252 package is universally preferred for all commercial- DSTO-252(H)industrial

Другие MOSFET... AP2322GN-HF , AP2325GEU6-HF , AP2333EN-HF , AP2336GN-HF , AP2340GN-HF , AP2346GN-HF , AP2451GY , AP2531GY-HF , IRFP260N , AP2602GY-HF , AP2603GY , AP2605GY-HF , AP2611GY-HF , AP2623GY-HF , AP2625GY-HF , AP2732GK-HF , AP2761I-A-HF .

History: STW18N60M2 | BSZ0902NS

 

 
Back to Top

 


 
.