AP99LT06GS-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP99LT06GS-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TO263

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AP99LT06GS-HF datasheet

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AP99LT06GS-HF

AP99LT06GS-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.5m Fast Switching Characteristic ID 145A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP99LT06 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

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AP99LT06GS-HF

AP99LT06GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.5m Fast Switching Characteristic ID 145A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP99LT06 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

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AP99LT06GS-HF

AP99LT06GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.5m Fast Switching Characteristic ID 120A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP99LT06 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

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