AP99LT06GS-HF Todos los transistores

 

AP99LT06GS-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP99LT06GS-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 138.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 120 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 145 nC

Tiempo de elevación (tr): 75 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 770 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0035 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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AP99LT06GS-HF Datasheet (PDF)

1.1. ap99lt06gs-hf.pdf Size:56K _a-power

AP99LT06GS-HF
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AP99LT06GS-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼ Simple Drive Requirement D BVDSS 60V ▼ Lower On-resistance RDS(ON) 3.5mΩ ▼ Fast Switching Characteristic ID 145A G ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP99LT06 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

1.2. ap99lt06gp-hf.pdf Size:56K _a-power

AP99LT06GS-HF
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AP99LT06GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼ Simple Drive Requirement D BVDSS 60V ▼ Lower On-resistance RDS(ON) 3.5mΩ ▼ Fast Switching Characteristic ID 145A G ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP99LT06 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

 1.3. ap99lt06gi-hf.pdf Size:56K _a-power

AP99LT06GS-HF
AP99LT06GS-HF

AP99LT06GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼ Simple Drive Requirement D BVDSS 60V ▼ Lower On-resistance RDS(ON) 3.5mΩ ▼ Fast Switching Characteristic ID 120A G ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP99LT06 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

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