Справочник MOSFET. AP99LT06GS-HF

 

AP99LT06GS-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AP99LT06GS-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 138.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 145 nC

Время нарастания (tr): 75 ns

Выходная емкость (Cd): 770 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AP99LT06GS-HF

 

AP99LT06GS-HF Datasheet (PDF)

1.1. ap99lt06gs-hf.pdf Size:56K _a-power

AP99LT06GS-HF
AP99LT06GS-HF

AP99LT06GS-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼ Simple Drive Requirement D BVDSS 60V ▼ Lower On-resistance RDS(ON) 3.5mΩ ▼ Fast Switching Characteristic ID 145A G ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP99LT06 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

1.2. ap99lt06gp-hf.pdf Size:56K _a-power

AP99LT06GS-HF
AP99LT06GS-HF

AP99LT06GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼ Simple Drive Requirement D BVDSS 60V ▼ Lower On-resistance RDS(ON) 3.5mΩ ▼ Fast Switching Characteristic ID 145A G ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP99LT06 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

 1.3. ap99lt06gi-hf.pdf Size:56K _a-power

AP99LT06GS-HF
AP99LT06GS-HF

AP99LT06GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼ Simple Drive Requirement D BVDSS 60V ▼ Lower On-resistance RDS(ON) 3.5mΩ ▼ Fast Switching Characteristic ID 120A G ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP99LT06 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

Back to Top