AP9U18GH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9U18GH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO252

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AP9U18GH datasheet

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AP9U18GH

AP9U18GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 20V Low On-resistance RDS(ON) 14m Low Gate Voltage Drive ID 37A G S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

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