AP9U18GH Todos los transistores

 

AP9U18GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9U18GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AP9U18GH Datasheet (PDF)

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AP9U18GH

AP9U18GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 20V Low On-resistance RDS(ON) 14m Low Gate Voltage Drive ID 37AGSDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withDS TO-252(H)the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

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History: BRCS016N03SZC | AM3435P | BRB10N65 | BRCS060N15SHRA | MS65R135R

 

 
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