Справочник MOSFET. AP9U18GH

 

AP9U18GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9U18GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP9U18GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9U18GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  ape
 ap9u18gh.pdf pdf_icon

AP9U18GH

AP9U18GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 20V Low On-resistance RDS(ON) 14m Low Gate Voltage Drive ID 37AGSDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withDS TO-252(H)the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

Другие MOSFET... AP9997GP , AP9998GI-HF , AP99LT06GI-HF , AP99LT06GP-HF , AP99LT06GS-HF , AP99T03GR-HF , AP9T15GH-HF , AP9T15GJ-HF , 2N60 , AP4410AGM-HF , AP4411GM-HF , AP4413GM-HF , AP4415GH-HF , AP4415GJ-HF , AP4424GM-HF , AP4433GH-HF , AP4433GI-HF .

History: CHM1273GP | OSG90R380HZF | BRB10N65 | FDZ7296 | NTMFD6H852NL | DMP6023LE | 1N65G-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.