AP9U18GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9U18GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP9U18GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9U18GH даташит

 ..1. Size:123K  ape
 ap9u18gh.pdf pdf_icon

AP9U18GH

AP9U18GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 20V Low On-resistance RDS(ON) 14m Low Gate Voltage Drive ID 37A G S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

Другие IGBT... AP9997GP, AP9998GI-HF, AP99LT06GI-HF, AP99LT06GP-HF, AP99LT06GS-HF, AP99T03GR-HF, AP9T15GH-HF, AP9T15GJ-HF, 20N50, AP4410AGM-HF, AP4411GM-HF, AP4413GM-HF, AP4415GH-HF, AP4415GJ-HF, AP4424GM-HF, AP4433GH-HF, AP4433GI-HF