AP9U18GH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP9U18GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AP9U18GH
AP9U18GH Datasheet (PDF)
ap9u18gh.pdf
AP9U18GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 20V Low On-resistance RDS(ON) 14m Low Gate Voltage Drive ID 37AGSDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withDS TO-252(H)the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
Другие MOSFET... AP9997GP , AP9998GI-HF , AP99LT06GI-HF , AP99LT06GP-HF , AP99LT06GS-HF , AP99T03GR-HF , AP9T15GH-HF , AP9T15GJ-HF , 20N50 , AP4410AGM-HF , AP4411GM-HF , AP4413GM-HF , AP4415GH-HF , AP4415GJ-HF , AP4424GM-HF , AP4433GH-HF , AP4433GI-HF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet


