AP9U18GH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP9U18GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 37 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 102 ns
Выходная емкость (Cd): 175 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO252
AP9U18GH Datasheet (PDF)
1.1. ap9u18gh.pdf 
Size:123K _a-power
AP9U18GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D ▼ Simple Drive Requirement BVDSS 20V ▼ Low On-resistance RDS(ON) 14mΩ ▼ Low Gate Voltage Drive ID 37A G S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
Другие MOSFET... AP9997GP , AP9998GI-HF , AP99LT06GI-HF , AP99LT06GP-HF , AP99LT06GS-HF , AP99T03GR-HF , AP9T15GH-HF , AP9T15GJ-HF , IRF9640 , AP4410AGM-HF , AP4411GM-HF , AP4413GM-HF , AP4415GH-HF , AP4415GJ-HF , AP4424GM-HF , AP4433GH-HF , AP4433GI-HF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CHM1012TGP | CHM1012PAGP | CHM1012LPAGP | CHM09N7NGP | CHM09N6NGP | CHM06N5NGP | CHM05P03NGP | CHM05N65PAGP | CHM04N6NGP | CHM0410JGP | CHM02N7PAGP | CHM02N7NGP | CHM02N6PAGP | CHM02N6GPAGP | CHM02N6ANGP |