Справочник MOSFET. AP9U18GH

 

AP9U18GH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AP9U18GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 37 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 102 ns

Выходная емкость (Cd): 175 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP9U18GH

 

 

AP9U18GH Datasheet (PDF)

1.1. ap9u18gh.pdf Size:123K _a-power

AP9U18GH
AP9U18GH

AP9U18GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D ▼ Simple Drive Requirement BVDSS 20V ▼ Low On-resistance RDS(ON) 14mΩ ▼ Low Gate Voltage Drive ID 37A G S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

Другие MOSFET... AP9997GP , AP9998GI-HF , AP99LT06GI-HF , AP99LT06GP-HF , AP99LT06GS-HF , AP99T03GR-HF , AP9T15GH-HF , AP9T15GJ-HF , IRF9640 , AP4410AGM-HF , AP4411GM-HF , AP4413GM-HF , AP4415GH-HF , AP4415GJ-HF , AP4424GM-HF , AP4433GH-HF , AP4433GI-HF .

Back to Top