IRFI9Z24N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI9Z24N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI9Z24N datasheet

 ..1. Size:119K  international rectifier
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IRFI9Z24N

PD - 9.1529A IRFI9Z24N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Isolated Package VDSS = -55V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm RDS(on) = 0.175 P-Channel G Fully Avalanche Rated ID = -9.5A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on

 6.1. Size:1774K  international rectifier
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IRFI9Z24N

PD- 95976 IRFI9Z24GPbF Lead-Free 12/20/04 Document Number 91171 www.vishay.com 1 IRFI9Z24GPbF Document Number 91171 www.vishay.com 2 IRFI9Z24GPbF Document Number 91171 www.vishay.com 3 IRFI9Z24GPbF Document Number 91171 www.vishay.com 4 IRFI9Z24GPbF Document Number 91171 www.vishay.com 5 IRFI9Z24GPbF Document Number 91171 www.vishay.com 6 IRFI9Z24GPbF Peak

 6.2. Size:169K  international rectifier
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IRFI9Z24N

 6.3. Size:1485K  vishay
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IRFI9Z24N

IRFI9Z24G, SiHFI9Z24G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 19 P-Channel Qgs (nC) 5.4 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 11 Dynamic dV/dt

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