Справочник MOSFET. IRFI9Z24N

 

IRFI9Z24N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI9Z24N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFI9Z24N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI9Z24N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  international rectifier
 irfi9z24n.pdf pdf_icon

IRFI9Z24N

PD - 9.1529AIRFI9Z24NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Isolated PackageVDSS = -55V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.175 P-ChannelG Fully Avalanche RatedID = -9.5ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on

 6.1. Size:1774K  international rectifier
 irfi9z24gpbf.pdf pdf_icon

IRFI9Z24N

PD- 95976IRFI9Z24GPbF Lead-Free12/20/04Document Number: 91171 www.vishay.com1IRFI9Z24GPbFDocument Number: 91171 www.vishay.com2IRFI9Z24GPbFDocument Number: 91171 www.vishay.com3IRFI9Z24GPbFDocument Number: 91171 www.vishay.com4IRFI9Z24GPbFDocument Number: 91171 www.vishay.com5IRFI9Z24GPbFDocument Number: 91171 www.vishay.com6IRFI9Z24GPbFPeak

 6.2. Size:169K  international rectifier
 irfi9z24g.pdf pdf_icon

IRFI9Z24N

 6.3. Size:1485K  vishay
 irfi9z24g-pbf sihfi9z24g.pdf pdf_icon

IRFI9Z24N

IRFI9Z24G, SiHFI9Z24GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 P-ChannelQgs (nC) 5.4 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 11 Dynamic dV/dt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI840GLC , IRFI9520N , IRFI9530G , IRFI9540N , IRFI9620G , IRFI9630G , IRFI9634G , IRFI9640G , BS170 , IRFI9Z34N , IRFIB5N65A , IRFIB6N60A , IRFIB7N50A , IRFIBC20G , IRFIBC30G , IRFIBC40G , IRFIBC40GLC .

History: H02N60F | SFI9610

 

 
Back to Top

 


 
.