IRFI9Z24N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFI9Z24N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRFI9Z24N
IRFI9Z24N Datasheet (PDF)
irfi9z24n.pdf

PD - 9.1529AIRFI9Z24NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Isolated PackageVDSS = -55V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.175 P-ChannelG Fully Avalanche RatedID = -9.5ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on
irfi9z24gpbf.pdf

PD- 95976IRFI9Z24GPbF Lead-Free12/20/04Document Number: 91171 www.vishay.com1IRFI9Z24GPbFDocument Number: 91171 www.vishay.com2IRFI9Z24GPbFDocument Number: 91171 www.vishay.com3IRFI9Z24GPbFDocument Number: 91171 www.vishay.com4IRFI9Z24GPbFDocument Number: 91171 www.vishay.com5IRFI9Z24GPbFDocument Number: 91171 www.vishay.com6IRFI9Z24GPbFPeak
irfi9z24g-pbf sihfi9z24g.pdf

IRFI9Z24G, SiHFI9Z24GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 P-ChannelQgs (nC) 5.4 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 11 Dynamic dV/dt
Другие MOSFET... IRFI840GLC , IRFI9520N , IRFI9530G , IRFI9540N , IRFI9620G , IRFI9630G , IRFI9634G , IRFI9640G , IRFP064N , IRFI9Z34N , IRFIB5N65A , IRFIB6N60A , IRFIB7N50A , IRFIBC20G , IRFIBC30G , IRFIBC40G , IRFIBC40GLC .
History: SM6020NSFP | STM4880 | FDMS86200
History: SM6020NSFP | STM4880 | FDMS86200



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06