AP70U02GH Todos los transistores

 

AP70U02GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP70U02GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 202 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AP70U02GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  ape
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AP70U02GH

AP70U02GHPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 60AG RoHS CompliantSDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withDS TO-252(H)the best combination of fast switching, ruggedized devi

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History: MTW35N15E | APM2309AC | STU70N2LH5 | CHM5506JGP | FJ4B0110 | PMCXB900UE | RSS090P03FU6TB

 

 
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