AP70U02GH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP70U02GH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 202 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: TO252
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AP70U02GH datasheet
ap70u02gh.pdf
AP70U02GH Preliminary Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 60A G RoHS Compliant S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, ruggedized devi
Otros transistores... AP9938GEY-HF , AP9938GEYT-HF , AP9960GH-HF , AP9960GJ-HF , AP70T03AH , AP70T03AJ , AP70T03AS , AP70T03GH-HF , IRF3710 , AP72T03GJ-HF , AP72T03GP , AP75T10GS-HF , AP76T03AGMT-HF , AP7811GM , AP4800AGM , AP4816GSM , AP4835GM-HF .
History: RCJ300N20 | 2SK1470
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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