AP70U02GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP70U02GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP70U02GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70U02GH даташит

 ..1. Size:124K  ape
 ap70u02gh.pdf pdf_icon

AP70U02GH

AP70U02GH Preliminary Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 60A G RoHS Compliant S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, ruggedized devi

Другие IGBT... AP9938GEY-HF, AP9938GEYT-HF, AP9960GH-HF, AP9960GJ-HF, AP70T03AH, AP70T03AJ, AP70T03AS, AP70T03GH-HF, IRF3710, AP72T03GJ-HF, AP72T03GP, AP75T10GS-HF, AP76T03AGMT-HF, AP7811GM, AP4800AGM, AP4816GSM, AP4835GM-HF