Справочник MOSFET. AP70U02GH

 

AP70U02GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP70U02GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP70U02GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70U02GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  ape
 ap70u02gh.pdf pdf_icon

AP70U02GH

AP70U02GHPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 60AG RoHS CompliantSDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withDS TO-252(H)the best combination of fast switching, ruggedized devi

Другие MOSFET... AP9938GEY-HF , AP9938GEYT-HF , AP9960GH-HF , AP9960GJ-HF , AP70T03AH , AP70T03AJ , AP70T03AS , AP70T03GH-HF , P55NF06 , AP72T03GJ-HF , AP72T03GP , AP75T10GS-HF , AP76T03AGMT-HF , AP7811GM , AP4800AGM , AP4816GSM , AP4835GM-HF .

History: RJK1211DPA | FQD13N10LTF | STW77N65M5 | HMS10N60K | IPD105N04LG | TPCJ2101

 

 
Back to Top

 


 
.