Справочник MOSFET. AP70U02GH

 

AP70U02GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP70U02GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 102 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70U02GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  ape
 ap70u02gh.pdf pdf_icon

AP70U02GH

AP70U02GHPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 60AG RoHS CompliantSDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withDS TO-252(H)the best combination of fast switching, ruggedized devi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BRCS200P03ZB | TF2301 | HMS8N70D | SI7120ADN | WMB31430DN | SSF3324 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.