AP7811GM Todos los transistores

 

AP7811GM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP7811GM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP7811GM datasheet

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AP7811GM

AP7811GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 25V D D Fast Switching D RDS(ON) 12m D Simple Drive Requirement ID 11.8A G S S SO-8 S Description D D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination

Otros transistores... AP70T03AJ , AP70T03AS , AP70T03GH-HF , AP70U02GH , AP72T03GJ-HF , AP72T03GP , AP75T10GS-HF , AP76T03AGMT-HF , P55NF06 , AP4800AGM , AP4816GSM , AP4835GM-HF , AP4880GEM , AP4953GM , AP4955GM-HF , AP4957AGM-HF , AP50T03GH .

History: SP3900 | AP4800AGM | FDS8880 | RDD020N60 | S60N15S | IRLML6246TRPBF | IRLML6302PBF-1

 

 

 

 

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