AP7811GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP7811GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP7811GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP7811GM даташит

 ..1. Size:78K  ape
 ap7811gm.pdf pdf_icon

AP7811GM

AP7811GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 25V D D Fast Switching D RDS(ON) 12m D Simple Drive Requirement ID 11.8A G S S SO-8 S Description D D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination

Другие IGBT... AP70T03AJ, AP70T03AS, AP70T03GH-HF, AP70U02GH, AP72T03GJ-HF, AP72T03GP, AP75T10GS-HF, AP76T03AGMT-HF, P55NF06, AP4800AGM, AP4816GSM, AP4835GM-HF, AP4880GEM, AP4953GM, AP4955GM-HF, AP4957AGM-HF, AP50T03GH