Справочник MOSFET. AP7811GM

 

AP7811GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP7811GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP7811GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP7811GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  ape
 ap7811gm.pdf pdf_icon

AP7811GM

AP7811GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow On-Resistance BVDSS 25V DDFast Switching D RDS(ON) 12m DSimple Drive Requirement ID 11.8A GSSSO-8SDescriptionDDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination

Другие MOSFET... AP70T03AJ , AP70T03AS , AP70T03GH-HF , AP70U02GH , AP72T03GJ-HF , AP72T03GP , AP75T10GS-HF , AP76T03AGMT-HF , IRFB4115 , AP4800AGM , AP4816GSM , AP4835GM-HF , AP4880GEM , AP4953GM , AP4955GM-HF , AP4957AGM-HF , AP50T03GH .

 

 
Back to Top

 


 
.