AP60L02GJ Todos los transistores

 

AP60L02GJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP60L02GJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO251

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AP60L02GJ datasheet

 ..1. Size:78K  ape
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AP60L02GJ

AP60L02GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching ID 50A G S Description The TO-252 package is universally preferred for all commercial- G industrial surface mount applications and su

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History: WSF6012

 

 

 

 

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