Справочник MOSFET. AP60L02GJ

 

AP60L02GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60L02GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP60L02GJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60L02GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  ape
 ap60l02gj ap60l02gh.pdf pdf_icon

AP60L02GJ

AP60L02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow Gate Charge BVDSS 25V DSimple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching ID 50A GSDescriptionThe TO-252 package is universally preferred for all commercial-Gindustrial surface mount applications and su

Другие MOSFET... AP9578GJ , AP95T07GS-HF , AP95T10AGR-HF , AP9685GM-HF , AP96LT07GP-HF , AP96T07AGP-HF , AP98T03GP , AP98T06GP-HF , IRLZ44N , AP60T03AH , AP60T03AJ , AP60T03AS , AP60T03GJ , AP60T10GP-HF , AP60T10GS-HF , AP60U02GH , AP60U03GH .

History: HUFA75307D3S | FQP2NA90 | TSM2N60CZ | LND150N3 | IRFHM830 | NVMFS5C410N | OSG80R650IF

 

 
Back to Top

 


 
.