AP60U03GH Todos los transistores

 

AP60U03GH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP60U03GH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO252

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AP60U03GH datasheet

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AP60U03GH

AP60U03GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 40A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G D S the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

 8.1. Size:124K  ape
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AP60U03GH

AP60U02GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 40A G RoHS Compliant S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, rug

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