AP60U03GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP60U03GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP60U03GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60U03GH даташит

 ..1. Size:122K  ape
 ap60u03gh.pdf pdf_icon

AP60U03GH

AP60U03GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 40A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G D S the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

 8.1. Size:124K  ape
 ap60u02gh.pdf pdf_icon

AP60U03GH

AP60U02GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 40A G RoHS Compliant S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, rug

Другие IGBT... AP60L02GJ, AP60T03AH, AP60T03AJ, AP60T03AS, AP60T03GJ, AP60T10GP-HF, AP60T10GS-HF, AP60U02GH, AO4407, AP62T02GJ, AP9410GM-HF, AP9412AGM, AP9412BGM, AP9435GJ-HF, AP9435GM, AP9435GP-HF, AP9450GMT-HF