IRF231 Todos los transistores

 

IRF231 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF231

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRF231 datasheet

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 9.1. Size:147K  international rectifier
 2n6758 irf230.pdf pdf_icon

IRF231

PD - 90334F IRF230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6758 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF230 200V 0.40 9.0A TO-3 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique

 9.2. Size:177K  fairchild semi
 irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdf pdf_icon

IRF231

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History: MSAFX40N30A

 

 

 

 

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