IRF231 Todos los transistores

 

IRF231 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF231
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF231 Datasheet (PDF)

 ..2. Size:216K  samsung
irf230 irf231 irf232 irf233.pdf pdf_icon

IRF231

 9.1. Size:147K  international rectifier
2n6758 irf230.pdf pdf_icon

IRF231

PD - 90334F IRF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6758THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF230 200V 0.40 9.0ATO-3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique

 9.2. Size:177K  fairchild semi
irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdf pdf_icon

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History: TMA2N60H | KP746B1 | AP4407GS-HF | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | 2SK3679-01MR | RJK0230DPA

 

 
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