IRF231. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF231

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF231

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF231 даташит

 ..1. Size:177K  1
 irf630 irf631 irf632 irf633 irf230 irf231 irf232 irf233 mtp12n18 mtp12n20.pdf pdf_icon

IRF231

 ..2. Size:216K  samsung
 irf230 irf231 irf232 irf233.pdf pdf_icon

IRF231

 9.1. Size:147K  international rectifier
 2n6758 irf230.pdf pdf_icon

IRF231

PD - 90334F IRF230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6758 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF230 200V 0.40 9.0A TO-3 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique

 9.2. Size:177K  fairchild semi
 irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdf pdf_icon

IRF231

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP85T10GR-HF, AP90T03GS, AP90T03P-HF, AP90T10GP-HF, AP92LT10GP-HF, AP92T03GH, AP92T03GS, AP93T03AGH-HF, 60N06, IRF232, IRF233, IRF240SMD, IRF241, IRF242, IRF243, IRF250B, IRF250C