IRF231 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRF231 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF231
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF231

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF231 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  1
 irf630 irf631 irf632 irf633 irf230 irf231 irf232 irf233 mtp12n18 mtp12n20.pdf pdf_icon

IRF231

 ..2. Size:216K  samsung
 irf230 irf231 irf232 irf233.pdf pdf_icon

IRF231

 9.1. Size:147K  international rectifier
 2n6758 irf230.pdf pdf_icon

IRF231

PD - 90334F IRF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6758THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF230 200V 0.40 9.0ATO-3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique

 9.2. Size:177K  fairchild semi
 irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdf pdf_icon

IRF231

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP85T10GR-HF , AP90T03GS , AP90T03P-HF , AP90T10GP-HF , AP92LT10GP-HF , AP92T03GH , AP92T03GS , AP93T03AGH-HF , IRFB7545 , IRF232 , IRF233 , IRF240SMD , IRF241 , IRF242 , IRF243 , IRF250B , IRF250C .

 

 
Back to Top

 


 
.