IRFIBF30G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFIBF30G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFIBF30G

IRFIBF30G Datasheet (PDF)

..1. Size:907K international rectifier
irfibf30g.pdf

PD - 94874IRFIBF30GPbF Lead-Free12/9/03Document Number: 91186 www.vishay.com1IRFIBF30GPbFDocument Number: 91186 www.vishay.com2IRFIBF30GPbFDocument Number: 91186 www.vishay.com3IRFIBF30GPbFDocument Number: 91186 www.vishay.com4IRFIBF30GPbFDocument Number: 91186 www.vishay.com5IRFIBF30GPbFDocument Number: 91186 www.vishay.com6IRFIBF30GPbFTO-22

..2. Size:1451K vishay
irfibf30g sihfibf30g.pdf

IRFIBF30G, SiHFIBF30GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 900Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 3.7RoHS*f = 60 Hz)Qg (Max.) (nC) 78 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 42 Low Thermal ResistanceConfiguration Sin

8.1. Size:168K international rectifier
irfibf20g.pdf

8.2. Size:1034K international rectifier
irfibf20gpbf.pdf

PD- 95650IRFIBF20GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91185 www.vishay.com1IRFIBF20GPbFDocument Number: 91185 www.vishay.com2IRFIBF20GPbFDocument Number: 91185 www.vishay.com3IRFIBF20GPbFDocument Number: 91185 www.vishay.com4IRFIBF20GPbFDocument Number: 91185 www.vishay.com5IRFIBF20GPbFDocument Number: 91185 www.vishay.com6IRFIBF20GPbFPeak D

8.3. Size:1680K vishay
irfibf20g sihfibf20g.pdf

IRFIBF20G, SiHFIBF20GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 900Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 8.0RoHS*f = 60 Hz)COMPLIANTQg (Max.) (nC) 38 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 4.7 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 21 Lead (Pb)-free AvailableConfiguration SingleDESCRIPT

Otros transistores... IRFIB7N50A , IRFIBC20G , IRFIBC30G , IRFIBC40G , IRFIBC40GLC , IRFIBE20G , IRFIBE30G , IRFIBF20G , IRFZ44 , IRFIZ14A , IRFIZ24A , IRFIZ24E , IRFIZ24N , IRFIZ34A , IRFIZ34E , IRFIZ34N , IRFIZ44A .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: