IRFIBF30G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFIBF30G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFIBF30G datasheet

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IRFIBF30G

PD - 94874 IRFIBF30GPbF Lead-Free 12/9/03 Document Number 91186 www.vishay.com 1 IRFIBF30GPbF Document Number 91186 www.vishay.com 2 IRFIBF30GPbF Document Number 91186 www.vishay.com 3 IRFIBF30GPbF Document Number 91186 www.vishay.com 4 IRFIBF30GPbF Document Number 91186 www.vishay.com 5 IRFIBF30GPbF Document Number 91186 www.vishay.com 6 IRFIBF30GPbF TO-22

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IRFIBF30G

IRFIBF30G, SiHFIBF30G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 900 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.7 RoHS* f = 60 Hz) Qg (Max.) (nC) 78 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 10 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 42 Low Thermal Resistance Configuration Sin

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IRFIBF30G

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IRFIBF30G

PD- 95650 IRFIBF20GPbF Lead-Free 7/26/04 Document Number 91185 www.vishay.com 1 IRFIBF20GPbF Document Number 91185 www.vishay.com 2 IRFIBF20GPbF Document Number 91185 www.vishay.com 3 IRFIBF20GPbF Document Number 91185 www.vishay.com 4 IRFIBF20GPbF Document Number 91185 www.vishay.com 5 IRFIBF20GPbF Document Number 91185 www.vishay.com 6 IRFIBF20GPbF Peak D

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